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过了第一关，就是第二关。

这个第二关，也跟设备结构有关系。

这就是被后世沿用三十年之久的“Two-Flow“双吹法进气模式。

GaN材料的生长温度比传统半导体要高很多，一般在 1000 度以上。

在高温下，衬底表面的气体会自发向上扩散，造成外延表面的氮分压不够，GaN容易分解。

中村发明了一种双束流反应室结构，即一路为水平气流携带化学反应的前驱物进入反应室，另外一路为垂直的气流从反应室自上而下进入。

说穿了，就是两股气流，一个是侧吹，一个是从上往下吹。这股自上而下的气流，起到了压制GaN分解的作用。

这个工艺方法的出现，完全是中村拍脑袋的结果，没有任何解释。

中村没有走任何弯路，一步到位，直接就是正确的方式。

这种运气和巧合，令全世界的科研工作者，都很无语！

因为，再没有第二个开发人员，采用这种方式！

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从已经披露出来的信息来看，成永兴甚至高度怀疑，这个中村其实也是个穿越者！

他的一些操作手法，技巧，甚至人生选择，都出现得毫无道理。

中村身为名校的研究生，居然放弃大城市，大公司的工作，跑到一家乡镇企业打工，不就是为了追求相对独立，完整的研发权力吗？

在大公司，你想改造设备和仪器?

先讨论讨论！

这点跟成永兴在检测专业，霸占资源去做半导体项目的思路，像不像？

中村大侠，真正进军蓝光LED是从89年4月。

这家伙一出山，就一路出成果，杀遍全世界！

他出现在LED战场的时候，就是满级大号！浑身带着极品的装备，技能！

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